Farnell livrează acum FET-uri de putere GaN de la Nexperia pentru a reduce pierderile de putere în vehicule electrice, 5G și IoT

6 OCTOMBRIE 2020

Farnell a găzduit în data de 16 septembrie 2020 un webinar cu înregistrare gratuită despre tehnologia Power GaN

Farnell, a anunțat disponibilitatea noii game inovatoare FET Power Gallium Nitride (GaN) de la Nexperia. Produsele FET GaN oferă o densitate de putere îmbunătățită și o utilizare eficientă a puterii, într-un factor de formă redus, permițând dezvoltarea unor sisteme eficiente, la un cost mai mic. Se oferă astfel potențialul de a îmbunătăți performanța energetică a vehicularelor electrice, a comunicațiilor 5G, a sistemelor IoT și multe altele. Această gamă inovatoare oferă inginerilor soluții reale, având în vedere contextul legislativ și nevoia tot mai mare de a reduce emisiile de CO2 care impun o schimbare către o conversie mai eficientă a energiei și o electrificare sporită.

Tehnologia GaN depășește multe dintre limitările tehnologiilor existente, cum ar fi IGBT și SiC, bazate de siliciu, pentru a oferi direct și indirect beneficii de performanță unei game întregi de aplicații de conversie a energiei. În cadrul vehiculelor electrice, tehnologia GaN reduce în mod direct pierderile de putere, care pot afecta autonomia unui vehicul. Conversia mai eficientă a energiei electrice reduce, de asemenea, necesitatea sistemelor de răcire pentru a disipa căldura generată, reducând greutatea vehiculului și complexitatea sistemului, ducând la rândul lor la o autonomie mai mare sau la aceeași autonomie cu o baterie mai mică. FET-urile de putere GaN sunt destinate, de asemenea și pentru aplicațiile din centrele de date, infrastructuri de telecomunicații și aplicații industriale.

FET-urile GaN oferă performanțe superioare în soluții cum ar fi comutarea hard (hard-switching) pentru aplicațiile de corecție a factorului de putere AC-DC cu etaj în contratimp (Totem pole PFC), punți LLC cu schimbare de fază (frecvență de rezonanță sau fixă) pentru aplicații de comutare soft (soft-switching), unde toate topologiile de invertor DC-AC și convertoarele matriciale AC-AC folosesc comutatoare bidirecționale.

Beneficiile cheie includ:

  • Comandă facilă pe poartă, RDS(on) redus, comutație rapidă
  • Diodă parazită* excelentă, (Vf scăzut), Qrr scăzut
  • Robustețe ridicată
  • Rezistență dinamică redusă între sursă și drenă (RDS(on))
  • Comutație stabilă
  • Imunitate sporită la perturbații ale porții (Vth ~ 4 V)

Lee Turner, Director Global al departamentului de semiconductoare și SBC de la Farnell, a declarat: “Nexperia este renumită pentru portofoliul său extins de produse semiconductoare inovatoare și suntem încântați să ne sprijinim clienții prin adăugarea FET-urilor Power GaN în oferta Farnell. Tehnologia GaN se află la vârful clasamentului în ceea ce privește proiectarea eficientă a soluțiilor de alimentare cu energie electrică, iar aceste noi produse vor fi o componentă cheie a proiectelor inovatoare din domeniul IoT, auto și comunicații din viitor.”

Pentru a sprijini clienții care doresc să adopte tehnologia FET GaN, Farnell și comunitatea element14 găzduiesc un webinar cu Ilian Bonov, inginer de marketing la nivel internațional pentru produsele GaN, de la Nexperia, pentru a oferi o “viziune profundă” în această nouă tehnologie. “Proiectarea surselor de alimentare industriale robuste și de randament ridicat, cu FET-uri GaN de la Nexperia” a avut loc în data de 16 septembrie 2020. Webminarul a conținut o prezentare generală a caracteristicilor tehnologiei cascode de la Nexperia, beneficiile topologiilor de comutare hard și soft și a inclus un studiu de caz pe un PFC Totem Pole de 4kW. Pentru a afla mai multe despre acest webinar, accesați pagina: https://www.element14.com/community/events/5572/l/designing-high-efficiency-and-robust-industrial-power-supplies-with-nexperia-gan-fets

Gama FET GaN de la Nexperia este disponibilă la Farnell în Europa, Orientul mijlociu și Africa, Newark în America de Nord și element14 în APAC.

Resurse adiționale:

(*) Diodă parazită – “Body diode” este o structură care rezultă constructiv între drena și sursa unui MOSFET. Prezența ei este benefică în majoritatea structurilor electronice de putere, deoarece joacă rolul unei diode de descărcare.

Farnell

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre