Freescale oferă tranzistoare de putere RF care livrează o combinaţie unică a capabilităţilor de robusteţe, frecvenţă şi de bandă largă

5 SEPTEMBRIE 2012

Adresându-se pieței care cere dispozitive de putere RF având caracteristici de robusteţe sporită şi funcţionarea în bandă largă într-o gamă mare de frecvenţe, Freescale Semiconductor introduce două dispozitive extrem de versatile proiectate pentru a oferi noi niveluri de liniaritate şi robusteţe pentru produsele de putere RF fabricate folosind tehnologia de proces LDMOS.
Noile dispozitive sunt MRFE6VS25N 25W şi MRFE6VP100H 100W. Capabile să asigure pe deplin putere nominală CW în întreaga gamă de frecvenţe de funcţionare, ambele sunt concepute pentru a întări fiabilitatea sistemului, reducând în acelaşi timp complexitatea de proiectare a amplificatorului şi costurile.
Dispozitivele reprezintă o alternativă competitivă la soluţii bazate pe tehnologia GaN, fiind concepute pentru aplicaţii similare, oferind capacitatea de a gestiona o asimetrie de impedanţă (VSWR), mai mare de 65:1, cu liniaritate remarcabilă, la un cost semnificativ mai mic al dispozitivului. Tranzistoarele LDMOS FET de bandă largă sunt proiectate să funcţioneze perfect în condiţii extrem de dure, în cazul în care supravieţuirea şi disponibilitatea sunt critice. Aplicaţii ţintă includ stații de emiţătoare-receptoare HF-UHF, emiţătoare de televi­ziune, transmițătoare white space data, industria aerospaţială/sisteme de apărare, echipamente de testare și sisteme radar.
Dispozitivele sunt protejate în capsule Freescale care au o rezistenţă termică scăzută, fiind concepute pentru a minimiza creşterea temperaturii interne şi a îmbunătăţi fiabilitatea pe termen lung, reducând în acelaşi timp problemele de gestionare termică.

Freescale Semiconductor
www.freescale.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre