Noul MOSFET TrenchFET® de la Vishay Siliconix

7 DECEMBRIE 2010

Vishay Intertechnology, Inc. a lansat primul MOSFET de putere TrenchFET® dual asimetric în încapsulare PowerPAIR® de 6 mm cu 3,7 mm care utilizează tehnologia TrenchFET Gen III, reducând rezistenţa de pornire cu 43% în comparaţie cu dispozitivele din generaţia anterioară, oferind în acelaşi timp curent maxim mai ridicat şi permiţând un randament crescut.
Înainte de încapsularea tip PowerPAIR, proiectanţii ar fi trebuit să folosească două dispozitive pentru a realiza rezistenţa scă­zută de pornire şi curentul ma­xim cerut pentru alimentarea sistemului, POL, DC/DC de curent scăzut şi aplicaţii reductoare de tensiune în notebook-uri, VRM-uri, module de pu­tere, plăci grafice, servere şi console de joc.
www.vishay.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre