Vishay Siliconix lansează cel mai mic şi subţire MOSFET de putere cu canal N

30 SEPTEMBRIE 2010

Vishay Intertechnology, Inc. a prezentat cel mai mic şi subţire MOSFET de putere cu canal N din industrie, primul proiect sub 1mm2.
20V MICRO FOOT® Si8800EDB combină un contur foarte mic de 0,8 mm × 0,8 mm cu o înălţime de 0,357mm economisind astfel spaţiu în electronica portabilă. Cap­su­la Si8800EDB oferă o rezistenţă pe su­prafaţă în stare ac­tivă extrem de joa­să datorită teh­no­logiei fără cap­su­lă şi creşterii supra­feţei de circuit.
MOSFET-ul oferă valori ale rezis­ten­ţei în stare activă de 80 mΩ la 4,5V, 90 mΩ la 2,5V, 105mΩ la 1,8 V, şi 150 mΩ la 1,5 V. Aplicaţiile tipice pentru noile dispozitive vor include switch-uri de sarcină şi comutare de semnal mic în dispozitive portabile precum telefoane mobile, PDA-uri, camere digi­tale, playere MP3, şi telefoane inteligente.

www.vishay.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre