Renesas Low Power SRAM

18 SEPTEMBRIE 2009

Solicitaţi acum un set de mostre GRATUIT!
4 buc. de 1Mbit: M5M51008x, 128kx8, 3V şi 5V, capsulă SOJ şi TSOP
4 buc. de 4Mbit: R1Lx0408x, 512kx8, 3V şi 5V, capsulă SOJ şi TSOP

Această promoţie este valabilă numai în următoarele ţări : Belgia, Bulgaria, Germania, Marea Britanie, Olanda, Austria, Polonia, România, Elveţia, Cehia, Turcia şi Ungaria.

Gama Low Power SRAM
În timp ce vânzările de SRAM de capacitate mică (256-Kbit la 1-Mbit) se situează pe un palier constant, modelele cu o capacitate de la 4-Mbit la 16-Mbit prezintă o creştere continuă. Mai mult decât atât, solicitările pentru modele de capacitate mare, 16-Mbit şi 32-Mbit au crescut în ultima vreme.
Renasas a introdus în producţia de masă chipuri de 16-Mbit şi 32-Mbit (16-Mbit x 2 chips) Advanced LPSRAM. În pasul următor se intenţionează o creştere a numărului modelelor de capacitate mică şi mare. Următorul dispozitiv lansat sub acestă strategie este un chip de 4-Mbit cu o tensiune de lucru de 3.3V produs în 0.15µm. Renesas intenţionează să introducă pe piaţă modelele single chip de 32-Mbit şi modelul de 64-Mbit (32-Mbit x2 chips).

Cele trei categorii de strategie Renesas în domeniul SRAM:
1 Gamă largă pentru toate domeniile de aplicaţii
Tensiune de alimentare: 5V / 3V / 1.8V
Capacitate: 256Kb®1Mb®2Mb®4Mb®8Mb®16Mb®32Mb
Capsulă: SOP / TSOP / sTSOP /µTSOP / FBGA(CSP)

2 Contribuţia la performanţa sistemului
Curent standby: 0.05µA®0.1µA®0.3µA®0.5µA [(256Kb)®(1Mb)®(4Mb)®(16Mb)]
Gamă largă de temperatură: -40 la 85°C

3 Tehnologia de nouă generaţie
Siguranţă înaltă: 0,13µm 16Mb: low soft error by On chip ECC
Advanced LPSRAM: Noul tip de celulă de memorie

Avantajele Advanced Low Power SRAM
Advanced LPSRAM se bazează pe două tehnologii – sarcina TFT şi capacitorii DRAM capacitors (Diagram). Tehnologia TFT face posibilă folosirea TFT polysilicon ca tranzistori de sarcină care susţin circuitele flip-flop.
Folosirea TFT polysilicon permite miniaturizarea, dar cu Advanced LPSRAM, dimensiunea celulei a fost redusă la doi tranzistori în loc de şase prin suprapunerea TFT-urilor. De asemenea, stivuirea TFT-urilor a făcut posibilă folosirea doar a tranzistoarelor canal N, care elimină riscul efectului latch-up cauzat de paraziţi. Astfel, spaţiile cu scopul de a preveni efectul latch-up nu mai sunt necesare, conducând la miniaturizare şi creştere a fiabilităţii. A doua idee este de a reduce drastic acumularea de sarcini prin adăugarea de condensatori pe circuit. Pentru Advanced LPSRAM, acesta îmbunătăţeşte semnificativ comportamentul la erori de soft.

Gama de capsule
O bună caracteristică a low-power SRAM de la Renesas este gama lor completă de capsule. Evident capsulele devin tot mai mici – de exemplu 52-pini lead, µTSOP (dimensiuni: 10.49mm x 10.79mm x 1.2mm) poate fi folosită pentru 8-Mbit/16-Mbit/ 32-Mbit SRAM. Pentru produse de 52-pin configuraţia pinilor rămâne aceeaşi chiar dacă capacitatea memoriei creşte, astfel placa de circuit nu trebuie modificată. Pe de altă parte, pentru non-lead, Renesas a asigurat produse în capsule FBGA şi acum oferă capsule wafer sized CSP.
În aceste capsule veţi găsi doar două capacităţi – 4-Mbit şi 16-Mbit. 4-Mbit este livrată în capsulă 3.55mm x 4.45mm, iar 16-Mbit în 5.62mm x 5.28mm.
Aceste capsule sunt mult mai mici, cu suprafeţe de montaj reduse cu 75% (4-Mbit) şi 49% (4-Mbit) în comparaţie cu o capsulă convenţională FBGA. De asemenea, au devenit mai subţiri 0.74mm (4-Mbit) şi 0.79mm (16-Mbit).

Prevenirea erorilor software la SRAM
În cazul SRAM, conţinutul poate fi pierdut deşi hardware-ul funcţionează normal. Acesta nu poate fi urmărită în memorie ca atare deoarece se comportă diferit faţă de defectele şi erorile hardware. Aceasta este numită eroare de soft. Sunt două cauze ale erorilor de software.
Unele sunt cauzate de particulele alfa. Când particulele alfa generate de impurităţi radioactive pătrund în siliciu au loc descărcări electrice care sunt concentrate în centrul memoriei, aceasta cauzând alterarea informaţiilor stocate. Efectele acestui proces pot fi substanţial reduse alegând cu grijă materialele folosite la fabricaţie, precum răşinile. Altă cauză o constituie radiaţiile neutronice din spaţiu.
Unii neutroni pătrund în chip intră în coliziune cu nucleul de siliciu şi dacă se generează particule încărcate cu sarcini electrostatice, acestea vor interacţiona cu nucleele de siliciu generând sarcini electrice.
Radiaţiile neutronice există peste tot pe pământ, penetrează scuturi şi astfel este dificil să rezolvăm această problemă.
De aceea, LPSRAM de 16-Mbit au un circuit de corecţie a erorii (ECC) pentru a corecta automat orice eroare, în timp ce Advanced LPSRAM folosesc un capacitor DRAM, care controlează fluctuaţiile sarcinilor electrice şi astfel erorile software pot fi ignorate.

Contact
Ing. Marian Enache
inginer asistenţă tehnică
mena@msc-ge.com
Mobil +40 (722) 300 028

MSC-Mibatron s.r.l.
O firmă a grupului MSC Vertriebs GmbH
Tel +40 (21) 2302521
Tel./Fax +40 (21) 2302530
bucuresti@msc-ge.com
www.msc-ge.com

COMPETENÞÃ ÎN ELECTRONICÃ

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre