Noul MOSFET de putere Vishay Siliconix TrenchFET® Gen III

19 AUGUST 2009

Vishay Intertechnology, Inc. a lansat primul MOSFET de putere cu canal p, 30-V cu suprafaţă de amprentă SO-8, cu o rezistenţă de ON maximă de până la 2,6mW la o comandă de poartă de 10-V şi 3,75mW la 4,5V.
Cu aceste specificaţii, noul Vishay Siliconix Si7145DP, cel mai recent membru al familiei cu canal p TrenchFET® Gen III, atinge cea mai mică rezistenţă de ON întâlnită vreodată la această tensiune nominală şi pentru această amprentă. Capsulat în PowerPAK® SO-8, Si7145DP va fi utilizat ca switch adaptor şi pentru aplicaţii de comutare în sarcină pentru computere tip notebook şi sisteme industriale/generale. Rezistenţa sa de ON de valoare redusă are ca efect pierderi de conducţie reduse, permiţând ca Si7145DP să îndeplinească mai bine sarcina de economisire energetică şi de a prelungi durata de viaţă a bateriilor între încărcări. Această capabilitate este în special importantă în switch-uri de adaptoare (comutare între adaptor / reţea sau baterie), care sunt întotdeauna în funcţiune şi conduc curent.
www.vishay.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre