MOSFET de putere Dual 20-V în suprafaţă de 2mm pe 2mm

22 MAI 2009

Vishay Intertechnology, Inc. a introdus un nou MOSFET de putere TrenchFET® Gen III cu canal p dual 20-V cu cea mai joasă rezistenţă de funcţionare într-o suprafaţă de 2mm x 2mm îmbunătăţită termic PowerPAK® SC-70.
Cu SiA921EDJ, Vishay îşi extinde tehnologia TrenchFET Gen III cu canal p la încapsulări ultra-mici pentru electronicele de buzunar. Noul dispozitiv va fi folosit pentru convertoare DC-DC coborâtoare de tensiune, dar şi pentru comutatoare de sarcină, PA şi de baterie în dispozitive portabile cum sunt telefoanele mobile, telefoanele inteligente, PDA-uri şi MP3 playere. SiA921EDJ oferă o rezistenţă ultra-joasă de funcţionare de 59mW la 4,5V şi 98mW la 2,5V, cu pierderi prin conducţie mici, permiţând dispozitivului să realizeze sarcini de comutare cu mai puţină putere decât oricare MOSFET de putere cu canal p dual de pe piaţă realizat anterior. Compactul PowerPAK SC-70 cu dimensiunea de 2mm pe 2mm este pe jumătate cât TSOP-6, oferind rezistenţă de funcţionare comparabilă.
www.vishay.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre