Gleichmann Electronics prezintă noua generaţie de PowerMOSFETS cu tensiune scăzută

23 MARTIE 2009

Gleichmann Electronics şi-a extins portofoliul de produse cu adăugarea noilor Power MOSFET-uri de tensiune scăzută de la NEC Electronics. Dispozitivele, NP110N04PUJ şi NP110N055PUJ prezintă o sarcină pe poartă de numai 150 nC cu un RDS(on) extrem de scăzut de 1,8 mW şi respectiv 2,4 mW.
Aceste două dispozitive sunt primele Power MOSFET-uri de tensiune scăzută care folosesc noua tehnologie SuperJunction1 de la NEC Electronics. Avantajul acestei tehnologii: prin adăugarea unor regiuni dopate cu P dedesubtul părţii active P a celulelor canalului şi reducând rezistenţa stratului epitaxial N prin doparea ridicată în timp ce se menţine o rezistenţă extrem de scăzută, lăţimea structurii poate fi lărgită semnificativ astfel fiind redusă sarcina pe poartă. În acest fel, comparativ cu tehnologia canalelor UMOS-4, rezultă o potenţială reducere de mai mult de 30%. Domenii tipice de aplicaţie pentru PowerMOSFET-uri, produse folosind tehnologia SuperJunction1, sunt acelea unde este importantă comutarea curenţilor mari cât mai eficient posibil într-o perioadă scurtă de timp. Acestea includ EPS (electric power steering) sau drivere industriale în câmpul de tensiuni joase ex.
www.msc-ge.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre