Gleichmann Electronics prezintă Seria NP

by donpedro

Gleichmann Electronics extinde portofoliul propriu de dispozitive de management al puterii la joasă tensiune cu 24 noi MOSFET-uri de putere extrem de robuste de la NEC Electronics.
Noile dispozitive, care sunt parte a seriei NP, se caracterizează prin tensiuni de 40V şi 55V VDSS, două valori nominale ale curentului de drenaj de 90A şi 100A şi comenzi de poartă de tip logic/non-logic. Robusteţea îmbunătăţită este obţinută prin procesul UMOS-2R dezvoltat recent, o dezvoltare a procesului UMOS-2 trench al NEC Electronics cu o regulă de proiectare de 0,5 microni. Acest proces conduce la o energie în avalanşă repetitivă maximă de 1000 megajouli şi suportă o temperatură maximă a canalului de 200 grade Celsius. Valorile tipice pentru RDS(on) se încadrează între 2,9mW şi 5,8mW şi între 5500pF şi 9500pF pentru Ciss. Noua familie de MOSFET-uri de putere robuste este disponibilă în carcase TO-220, TO-262 şi TO-263ZP şi este complet calificată conform AEC-Q101 şi satisface condiţiile RoHS.

www.msc-ge.com

Adaugă un comentariu