Gleichmann Electronics prezintă Seria NP

25 IANUARIE 2008

Gleichmann Electronics extinde portofoliul propriu de dispozitive de management al puterii la joasă tensiune cu 24 noi MOSFET-uri de putere extrem de robuste de la NEC Electronics.
Noile dispozitive, care sunt parte a seriei NP, se caracterizează prin tensiuni de 40V şi 55V VDSS, două valori nominale ale curentului de drenaj de 90A şi 100A şi comenzi de poartă de tip logic/non-logic. Robusteţea îmbunătăţită este obţinută prin procesul UMOS-2R dezvoltat recent, o dezvoltare a procesului UMOS-2 trench al NEC Electronics cu o regulă de proiectare de 0,5 microni. Acest proces conduce la o energie în avalanşă repetitivă maximă de 1000 megajouli şi suportă o temperatură maximă a canalului de 200 grade Celsius. Valorile tipice pentru RDS(on) se încadrează între 2,9mW şi 5,8mW şi între 5500pF şi 9500pF pentru Ciss. Noua familie de MOSFET-uri de putere robuste este disponibilă în carcase TO-220, TO-262 şi TO-263ZP şi este complet calificată conform AEC-Q101 şi satisface condiţiile RoHS.

www.msc-ge.com

Lasă un răspuns

Adresa ta de email nu va fi publicată. Câmpurile necesare sunt marcate *

  • Folosim datele dumneavoastră cu caracter personal NUMAI pentru a răspunde comentariilor/solicitărilor dumneavoastră.
  • Pentru a primi raspunsuri adecvate solicitărilor dumneavoastră, este posibil să transferăm adresa de email și numele dumneavoastră către autorul articolului.
  • Pentru mai multe informații privind politica noastră de confidențialitate și de prelucrare a datelor cu caracter personal, accesați link-ul Politica de prelucrare a datelor (GDPR) si Cookie-uri.
  • Dacă aveți întrebări sau nelămuriri cu privire la modul în care noi prelucrăm datele dumneavoastră cu caracter personal, puteți contacta responsabilul nostru cu protecția datelor la adresa de email: gdpr@esp2000.ro
  • Abonați-vă la newsletter-ul revistei noastre