San Jose, California, 8 mai 2007 – Fairchild Semiconductor prezintă FDD8424H, un MOSFET de 40V complementar, ce oferă capsulare Dual DPAK şi o modalitate de disipare termică deosebită în vederea creşterii siguranţei sistemului, reducerii spaţiului de placă ocupat şi scăderii costului global al sistemului. Optimizat pentru scheme de inversoare half – sau full-bridge, FDD8424H este ideal pentru utilizarea în unităţi de iluminare de fond (BLU) pentru ecrane TV LCD, monitoare LCD, drivere pentru motoare şi corpuri de iluminat. Comparativ cu soluţiile alternative, FDD8424H cu capsulă Dual DPAK oferă o rezistenţă termică de 5 până la 10 ori mai mică decât a soluţiilor cu 8 terminale şi capsule duale SOIC (SO8). Suplimentar, integrarea unui MOSFET cu canal P high-side şi a unui MOSFET cu canal N low-side într-o singură capsulă permite o conexiune cu drenă comună în cadrul dispozitivului, simplificând schema circuitului pe placă şi reducând timpul de proiectare.
Caracteristicile cheie ale FDD8424H cuprind:
• Combinaţia dintre RDS(ON) şi sarcina de încărcare (Qg) oferă performanţe de comutaţie excelente;
• Rezistenţa termică de înaltă performanţă, Theta JC, este 4.1C/W pentru canalul N şi 3.5 C/W pentru canalul P;
• Soluţia Half-bridge într-o singură capsulă reduce amprenta dispozitivului şi costul global al sistemului.
Acest dispozitiv fără plumb respectă şi chiar depăşeşte cerinţele IPC/JEDEC J-STD-020C şi este conform cu normele europene în vigoare.
Fairchild Semiconductor www.fairchildsemi.com