Texas Instruments (TI) şi Ramtron International Corporation, unul dintre liderii furnizorilor de memorii nevolatile feroelectrice cu acces aleatoriu (FRAM) şi produse semiconductoare integrate, anunţă o realizare importantă în dezvoltarea tehnologiei FRAM ce a rezultat într-un acord de fabricaţie comercial pentru memorii FRAM. Ramtron şi TI au lucrat împreună din August 2001, când companiile au stabilit un acord de licenţiere şi dezvoltare FRAM.
Pentru crearea unui modul embedded FRAM, TI a adăugat numai două etape de mascare suplimentare faţă de standardul său, procesul de interconectare pe 130nm. Prin mutarea către proces de 130nm, companiile vor furniza memorii Ramtron de 4-Mb FRAM prin utilizarea celor mai mici celule FRAM comerciale, măsurând numai 0,71µm², şi permiţând o densitate mai mare de memorie decât poate fi obţinută cu celule SRAM. Memoria FRAM combină acces rapid şi consumul energetic redus al memoriilor volatile DRAM cu abilitatea de a reţine date fără consum energetic. Alte memorii nevolatile precum EEPROM şi Flash sunt mai puţin eficiente la integrare din cauza numeroaselor straturi de mască, timpi mai mari de scriere, şi consum energetic mai mare solicitat la scrierea datelor. Suplimentar, dimensiunile reduse ale celulelor FRAM şi adăugările minime de straturi de mască permit FRAM să fie produse la un cost mai mic decât SRAM pentru aplicaţii embedded. FRAM consumă de asemenea mult mai puţin din punct de vedere energetic decât MRAM şi sunt deja comerciale pentru aplicaţii de comandă în aplicaţii auto, de măsurare, industriale şi de sisteme de calcul.
Texas Instruments www.ti.com